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硒化鍺晶體 GeSe (Germanium Selenide)
晶體尺寸：~10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
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