2015年,以塊體灰砷與灰銻為母體材料,南京理工大學(xué)曾海波團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了二維砷烯與銻烯熱動(dòng)力學(xué)最穩(wěn)定的原子結(jié)構(gòu),并預(yù)測(cè)了其半導(dǎo)體性電子結(jié)構(gòu)(Angew. Chem. In. Ed. 2015, 54, 3112)。但是除了維度縮減誘導(dǎo)的半金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變以外,它們的價(jià)帶頂、導(dǎo)帶底、遷移率等對(duì)將來的器件設(shè)計(jì)非常關(guān)鍵。最近,該團(tuán)隊(duì)系統(tǒng)地探索了第五主族單原子二維材料的以上關(guān)鍵特征,包括磷烯、砷烯、銻烯、鉍烯等(Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 1666)。結(jié)果表明它們的帶隙能量涵蓋0.36至2.62 eV,對(duì)應(yīng)于從紅外到可見的寬光譜響應(yīng)。價(jià)帶頂分布于-4.66到-3.05 eV之間,導(dǎo)帶底分布于-3.08到-1.22 eV之間。令人興奮的是,結(jié)果表明它們會(huì)具有較高的遷移率,尤其是α相砷烯,高達(dá)105 cm2V-1s-1,與石墨烯相當(dāng),高于目前電子器件經(jīng)典材料硅,也高于經(jīng)典光電子材料三五族半導(dǎo)體。低維材料在線長(zhǎng)期提供這一類優(yōu)秀的高性能材料,這些結(jié)果為第五主族單原子二維材料的電子與光電子器件設(shè)計(jì)提供了關(guān)鍵參數(shù)。
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